基本半导全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超充电桩，V2G充电桩，高压柔直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器,MRI电源等. 光伏逆变器用对称拓扑和飞跨电容拓扑直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。
汽车全碳化硅率模块是基本半导为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列率模块产品，包括半桥MOSFET模块Pcore™2、三相全桥MOSFET模块Pcore™6、塑封面散热半桥MOSFET模块Pcell™等，采用银烧结技术等基本半导新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换率，进而提高新能源汽车的能源率和续航里程。高率度，高可靠，高工作结温，低热阻，低杂散电感。
Pcore™2系列模块BMF600R12MCC4，BMF400R12MCC4具有低开关耗、可高速开关、低温度依赖、高可靠（高于AQG-324参考标准）等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在定程度上替相同封装的IGBT模块，从而有缩短产品开发周期，提高工作率。
Pcore™6系列模块BMS600R12HWC4，BMS400R12HWC4，BMS700R08HWC4，BMS450R08HWC4是非常紧凑的率模块，为混合动力和电动汽车提升率应用而设计，使用氮化硅AMB绝缘基板、用于直接流的铜基PinFin基板、多信号控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，具有低耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流度、高可靠（高于AQG-324参考标准）等特点。
Pcell™系列模块BMF600R12PC4，BMF400R12PC4，BMF700R08PC4，BMF450R08PC4采用基本半导设计的独有封装形式，采用银烧结和DTS技术，大大提升了模块的率度，让碳化硅材料特得以充分发挥，使得产品具有高率度、低杂散电感(小于5nH)、高阻断电压、低导通电阻（小于2mΩ）、结温高达175℃等特点，非常适合于高、高率度应用域。
基本半导混合SiC率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅低FRD的开关耗与 IGBT 的开通耗，有助于电力电子设备的低率耗。不同应用条件下总耗可以
低20~40。相对全SiC模块，价比高。
2.可以显著提高率模块开关频率。因此有助于缩输出滤波电感电容等周边元器件的规格成本，实现整机的小型化、在现有系统的不变的情况下，将普通IGBT模块换为混合SiC模块实现大的输出率。
3.多种电流及封装规格,半桥结构。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型应用：测试电源-直流源，除尘电源，等离子切割，电源电源CT， MRI，轨道交通电源
LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有高率,低噪声,高率度等诸多点.与传统Si基率器件相比,BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管，BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块具有加良的特,加适用于高频高压大率场合.对相LLC谐振变换器在大电流大率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管，BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块相结合提升率度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块，V2G电源模块，电网储能PCS，从调峰调频到备电、价差套利，储能将成为新型电力系统的稳定器，双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。
BASiC基本半导650V/1200V Hybrid IGBT 管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二管的主要点，具备出色的开关速度和低的开关耗，TO-247 4 引脚封装具有个外的开尔文--连接。此 4 引脚也被称为开尔文--端子，绕过栅控制回路上的--引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并低开关能量。英飞凌管IGBT国产替主要规格有BGH50N65HF1，BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，相光伏逆变器Heric电路 ,BGH50N65ZF1。BGH75N65HF1（IKW75N65RH5国产替，IKW75N65ES5国产替，，BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，相光伏逆变器Heric电路 BGH75N65ZF1，BGH75N65HRA1维也纳PFC电路，BGH40N120HF典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管,BGH75N120HS 典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管， (特别适用于 DC-DC 率变换器和PFC电路。其常见应用包括：户用光伏逆变器650V混合SiC IGBT管，户用光伏逆变器，组串光伏逆变器，户用储能逆变器，双向变流器，双向逆变器，车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电--开关电源 (SMPS) ，基本半导混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二管技术相结合，为硬开关拓扑打造了个兼顾--和价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二管合封，在部分应用中可以替传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢二管合封），使IGBT的开关耗大幅低，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等域。
高逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于相逆变器，该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流，以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低率范围内（如屋顶光伏系统），其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路能的第五、六开关。其有隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无交换，提升系统率，且低寄生电容上的电压高频分量，消除漏电流,通过利用BASiC基本半导SiC碳化硅率半导的开关耗低特，相HERIC电路中，用器件BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管可以有低高频管的耗，显著低器件的工作结温，提升系统率,BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管继承了经典的TO247封装，客户可以在不变PCB和电路情况下，对老的产品进行直接替换，从而在短时间内达到系统率的提升和增加开关频率的目的。同时，由于器件带来系统耗少的势，可以低散热设计要求和成本；开关频率提升可以有低并网电感的尺寸和大小，少电流谐波对电网的污染。HERIC电路设计的拓扑结构可以实现高达99％超高转化率，同时将EMI保持在较低的水平。除了具有高的能量输出的点外，这种拓扑结构还低了部件的热应力，因而散热器可以设计得小，使用寿却长。行业普遍认为到目前为止，这是户用光伏逆变器储能变流器PCS设备中较好的设计。
BASiC基本半导混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二管，基本SiC二管小Qrr，有低对管IGBT开通耗，且自身反向恢耗Erec也明显低，IGBT开通耗随温度的影响很小，低EMI，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块，移动储能逆变器率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
BASiC基本半导碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具备开关中的小栅电荷和器件电容、反并联二管无反向恢耗、与温度无关的低开关耗，以及无阈值通态特等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块等，可以像IGBT或MOSFET样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高率，从而可以小系统尺寸、增大率度，并确保高可靠，延长使用寿。
光伏逆变器升压SiC碳化硅二管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H1,B2D40065H1，B2D02120E1,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三电平SiC-IGBT模块，IGBT管，混合IGBT管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET，三电平IGBT模块，光储机混合IGBT器件
BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了高的电流度、小的元胞尺寸、低的正向导通压。BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管继承了和二产品的点，采用JBS结构，化了N-外延层的掺杂浓度，薄N+衬底层，使得二管具有低的正向导通压VF和结电荷QC，可以低应用端的导通耗和开关耗。