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深圳市大芯超导有限公司
大芯超导有限公司元器件业分销BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,BASiC基本半导碳化硅率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二管,BASiC SiC碳化硅模块,BASiC基本半导SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导管IGBT,BASiC基本半导IGBT模块,BASiC基本半导三电平IGBT模块,BASiC基本半导I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导T型三电平IGBT模块,BASiC 混合IGBT管,BASiC 混合IGBT模块,BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管,BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源,能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器,变换率高,储能变流器碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合IGBT模块被广泛应用于新能源域,电源,X射线高压电源,大率高频高速变频器,BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管,BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器,实现直流升压压转换,储能PCS-Buck-Boost电路,高压侧接入PV直流侧,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑,低压侧接电池组。
LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有高率,低噪声,高率度等诸多点.与传统Si基率器件相比,BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管,BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块具有加良的特,加适用于高频高压大率场合.对相LLC谐振变换器在大电流大率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导碳化硅SiC率MOSFET,基本半导混合SiC-IGBT管,BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块相结合提升率度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块,V2G电源模块,电网储能PCS,从调峰调频到备电、价差套利,储能将成为新型电力系统的稳定器,双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。

BASiC基本半导650V/1200V Hybrid IGBT 管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二管的主要点,具备出色的开关速度和低的开关耗,TO-247 4 引脚封装具有个外的开尔文--连接。此 4 引脚也被称为开尔文--端子,绕过栅控制回路上的--引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并低开关能量。英飞凌管IGBT国产替主要规格有BG50N65HA1,BGH50N65HF1(IKW50N65RH5国产替,AIKW50N65RF5国产替,IKW50N65ES5国产替,IKW50N65EH5国产替,IKW50N65ET7国产替),BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路,相光伏逆变器Heric电路 (IKW50N65SS5国产替),BGH50N65ZF1(IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5国产替),BG75N65HA1,BGH75N65HF1(IKW75N65RH5国产替,IKW75N65ES5国产替,IKW75N65EH5国产替,IKW75N65ET7国产替),BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路,相光伏逆变器Heric电路 (IKW75N65SS5国产替),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5国产替),BGH40N120HF典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路,T型三电平横管(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7国产替),BGH75N120HS 典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路,T型三电平横管 (IKQ75N120CH3国产替,IKQ75N120CS6国产替,)特别适用于 DC-DC 率变换器和PFC电路。其常见应用包括:户用光伏逆变器650V混合SiC IGBT管,户用光伏逆变器,组串光伏逆变器,户用储能逆变器,双向变流器,双向逆变器,车载充电机(OBC)、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电--开关电源 (SMPS) ,基本半导混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二管技术相结合,为硬开关拓扑打造了个兼顾--和价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二管合封,在部分应用中可以替传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢二管合封),使IGBT的开关耗大幅低,适用于车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等域。

高逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于相逆变器,该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流,以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低率范围内(如屋顶光伏系统),其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路能的第五、六开关。其有隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无交换,提升系统率,且低寄生电容上的电压高频分量,消除漏电流,通过利用BASiC基本半导SiC碳化硅率半导的开关耗低特,相HERIC电路中,用器件BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管可以有低高频管的耗,显著低器件的工作结温,提升系统率,BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管继承了经典的TO247封装,客户可以在不变PCB和电路情况下,对老的产品进行直接替换,从而在短时间内达到系统率的提升和增加开关频率的目的。同时,由于器件带来系统耗少的势,可以低散热设计要求和成本;开关频率提升可以有低并网电感的尺寸和大小,少电流谐波对电网的污染。HERIC电路设计的拓扑结构可以实现高达99%超高转化率,同时将EMI保持在较低的水平。除了具有高的能量输出的点外,这种拓扑结构还低了部件的热应力,因而散热器可以设计得小,使用寿却长。行业普遍认为到目前为止,这是户用光伏逆变器储能变流器PCS设备中较好的设计。

BASiC基本半导混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二管,基本SiC二管小Qrr,有低对管IGBT开通耗,且自身反向恢耗Erec也明显低,IGBT开通耗随温度的影响很小,低EMI,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块,移动储能逆变器率因数校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。

BASiC基本半导碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具备开关中的小栅电荷和器件电容、反并联二管无反向恢耗、与温度无关的低开关耗,以及无阈值通态特等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如LLC和ZVS,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块等,可以像IGBT或MOSFET样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高率,从而可以小系统尺寸、增大率度,并确保高可靠,延长使用寿。

光伏逆变器升压SiC碳化硅二管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,B2D02120E1,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三电平SiC-IGBT模块,IGBT管,混合IGBT管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET,三电平IGBT模块,光储机混合IGBT器件

BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管在沿用6英寸晶圆工艺基础上,实现了高的电流度、小的元胞尺寸、低的正向导通压。BASiC基本半导第三碳化硅肖特基二管继承了和二产品的点,采用JBS结构,化了N-外延层的掺杂浓度,薄N+衬底层,使得二管具有低的正向导通压VF和结电荷QC,可以低应用端的导通耗和开关耗。